こんにちは！半田貞治郎です。
サムスン電子は、12層のDRAMモジュールを積層した広帯域幅メモリー「HBM3E 12H」を開発しました。この製品は1280GB／秒の帯域幅と36GBの容量を実現し、従来の「HBM3 8H」より50％以上性能が向上しています。HBMは垂直方向に積層されたDRAMモジュールで構成され、各モジュールは24ギガビット（3GB相当）の容量を持つ12のDRAMモジュールが積層されています。サムスンは先進的な技術を採用し、高い性能と容量によりデータセンターの総所有コスト（TCO）削減を実現すると述べています。
サムスン、12層DRAM「HBM3E 12H」を開発--AI分野の需要を見込み（ZDNET Japan） - Yahoo!ニュース https://news.yahoo.co.jp/articles/76615dade2fe4c2e4f325375c39e1c882cc3a068
